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IRF6665TR1PBF中文资料

IRF6665TR1PBF图片

IRF6665TR1PBF外观图

  • 大小:233.2KB
  • 厂家:International Rectifier
  • 描述: MOSFET, N, DIRECTFET, 100V, SH; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):53mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Transistor Case Style:DirectFET SH; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Base Number:6665; Current Id Max:3.4A; Package / Case:SH; Power Dissipation Pd:2.2mW; Pulse Current Idm:34A; SMD Marking:2.2; Termination Type:SMD; Transistor Type:; Voltage Vds:100V; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5V; Voltage Vgs th Min...
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:62 毫欧 @ 5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:530pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:DirectFET? 等容 SH
  • 供应商设备封装:DIRECTFET? SH
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:IRF6665TR1PBFTR

IRF6665TR1PBF供应商

更新时间:2023-01-01 04:31:29
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